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              氮化鋁陶瓷 半導體用氮化鋁陶瓷加熱器 ALN Ceramic Heating for semiconductor 靜電卡盤 ESC E-chuck

              氮化鋁陶瓷加熱器(AlN Ceramic Heating for Semiconductor),使用高導熱AlN,通過電阻加熱元件的均勻燒結提供出色的溫度一致性,并顯著減少金屬污染和雜質。
              具有優異的耐熱性,高機械強度,耐磨性和小介電損耗。 AlN襯底的表面非常光滑,孔隙率低。 與氧化鋁基材相比,氮化鋁具有較高的導熱性,其高約7至8倍。 ALN襯底是優異的電子封裝材料。ALN襯底應用廣泛,包括薄膜和厚膜微電子,大功率和高頻電路RF /微波部件和電容器或電阻器等。

              TANISS自主研發氮化鋁陶瓷加熱器規格尺寸可根據客戶需要定做。

              氮化鋁陶瓷加熱器(AlN Ceramic Heating for Semiconductor),使用高導熱AlN,通過電阻加熱元件的均勻燒結提供出色的溫度一致性,并顯著減少金屬污染和雜質。

              具有優異的耐熱性,高機械強度,耐磨性和小介電損耗。 AlN襯底的表面非常光滑,孔隙率低。 與氧化鋁基材相比,氮化鋁具有較高的導熱性,其高約7至8倍。 ALN襯底是優異的電子封裝材料。ALN襯底應用廣泛,包括薄膜和厚膜微電子,大功率和高頻電路RF /微波部件和電容器或電阻器等。


              氮化鋁陶瓷 半導體用氮化鋁陶瓷加熱器 ALN Ceramic Heating for semiconductor 靜電卡盤 ESC E-chuck
              氮化鋁陶瓷加熱器(AlN Ceramic Heating for Semiconductor),使用高導熱AlN,通過電阻加熱元件的均勻燒結提供出色的溫度一致性,并顯著減少金屬污染和雜質。
              具有優異的耐熱性,高機械強度,耐磨性和小介電損耗。 AlN襯底的表面非常光滑,孔隙率低。 與氧化鋁基材相比,氮化鋁具有較高的導熱性,其高約7至8倍。 ALN襯底是優異的電子封裝材料。ALN襯底應用廣泛,包括薄膜和厚膜微電子,大功率和高頻電路RF /微波部件和電容器或電阻器等。
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